塞夏h吧台积电、imec、ibm、三星将分享cfet技术

塞夏h吧10月17日消息，第70届IEEE国际电子设备年会（IEDM）将于2024年12月7日至11日在旧金山举行。

塞夏h吧届时，诸如台积电、IMEC、IBM和三星等各大半导体公司的研究人员将汇聚一堂，分享关于垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术的最新研究成果。

塞夏h吧尽管GAAFET（全栅极环绕晶体管）技术还未获得业界大规模采用，但下一代CFET技术已被提上日程，这项技术被视为下一代半导体技术的重要发展方向，有望在未来实现进一步的工艺尺寸微缩。

塞夏h吧CFET的概念最早由IMEC研究所于2018年提出，即在同一区域内垂直堆叠n型和p型晶体管。根据IMEC的路线图，CFET有望在A5工艺节点（预计约2032年）实现广泛量产。

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塞夏h吧台积电工程师将在会议上发表一篇关于CFET的论文，主要是介绍在48nm栅距（大致相当于现有5nm工艺的标准）上制造的全功能单片CFET逆变器的X能。

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塞夏h吧该逆变器采用堆叠式n型和p型纳米片晶体管，台积电在设计中融入了背面触点和互连技术，极大地提高了器件的X能与设计灵活X。

塞夏h吧实验表明，台积电生产的CFET器件展现出高达1.2V的电压传输特X以及仅74~76mV/V的亚阈值斜率，这意味着CFET在功耗方面的表现非常出.se。

塞夏h吧从技术上讲，这种架构为未来几年X能和功耗效率的持续提升以及晶体管密度的增加指明了途径。虽然这属于一个重要里程碑，但台积电也承认该技术目前尚未准备好用于商业生产。

IBM和三星将展示一种“单片堆叠FET”，这项研究提出了阶梯结构的概念，其中底部FET通道比上方通道更宽，可降低堆栈高度，并减少高纵横比工艺带来的挑战。

IT之家注意到，IMEC将展示其在“双排CFET”方面的研究成果，旨在进一步在垂直和水平方面扩展CFET。

IMEC认为，这种晶体管设计可以在7A级工艺节点中变得可行，A7节点预计将在1nm（A10）节点后出现，IMEC路线图预测CFET将于2032年左右在A5节点进入主流领域。